| 产品名称 | 特性 | 封装形式 | 工作温度范围（℃） | 高压启动电压(V) | 最大工作电压(V) | 典型工作电压(V) | 最低工作电压(V) | 典型频率(KHz) | 最大频率(KHz) | 占空比(%) | 启动电流(mA) | 工作电流(mA) | BV电压(V) | RDS(on)(MAX)(Ω) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SS820D | 可外置MOS 1000V 高压启动 | SOP8 | -40~125 | 1000 | 10 | 8.5 | 6.5 | 40 | 55 | 44 | 0.23 | 0.16 | / | / |
| SS8200B | 内置650V, 0.6A功率MOS, 浪涌抑制 | SOP8 | -40~125 | 650 | 10 | 8.5 | 6.5 | 40 | 55 | 44 | 0.23 | 0.16 | 650 | 28 |
| SS8201B | 内置800V, 1A功率MOS, 浪涌抑制 | SOP8 | -40~125 | 1000 | 10 | 8.5 | 6.5 | 40 | 55 | 44 | 0.23 | 0.16 | 800 | 11.5 |
| SS8202B | 小于10ms快速上电, 输出电压外部可调，±4KV浪涌抑制能力 | SOP8 | -40~125 | 1000 | 10 | 8.5 | 6.5 | 40 | 55 | 44 | 0.23 | 0.16 | ≥900 | ≤22 |