OSM18N20

• OSM18N20是一款在栅源电压10V时可实现150mΩ导通阻抗，18A持续电流的200VN沟道MOS器件。
• OSM18N20具有低栅极电荷，低栅极电压，和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM控制等应用场景。