OSM002是一款应用于锂电池二次保护的双N沟道MOSFET，采用Trench工艺实现。
OSM002在栅源电压4.5V时可实现2.2mΩ的源-源导通阻抗，极大的解决了手机快充电池的充放电问题。
OSM002源-源端的关断 BV电压可实现最大±18V的典型耐压要求，增强了电池保护系统的可靠性。
OSM002采用3.5mmx2.5mm的PLP封装，端口采用宽体PAD，提高了MOS的焊接，并增强了MOS散热特性。
