OSM2N170C

OSM2N170C是一款在栅源电压20V时可实现最大1.50导通阻抗，2A持续电流的1700VN沟道SiCMOS器件，最高结温可达到175°C。

OSM2N170C具有低栅极电荷，低栅极电压，和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM控制等应用场景。

OSM2N170C采用TO-263和TO-220-FB封装。