OSM2N150

OSM2N150是一款在栅源电压10V 时可实现最大130导通阻抗，2A持续电流的1500VN沟道MOS器件。

OSM2N150具有低栅极电荷，低栅极电压，和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM控制等应用场景。