OSM4N90SJ是一款在栅源电压10V时可实现最大1.40导通阻抗,4A持续电流的900VN沟道SGTMOS器件。
OSM4N90SJ具有低栅极电荷,低栅极电压,和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM控制等应用场景。