OSM4N90SJ

OSM4N90SJ是一款在栅源电压10V时可实现最大1.40导通阻抗,4A持续电流的900VN沟道SGTMOS器件。

OSM4N90SJ具有低栅极电荷,低栅极电压,和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM控制等应用场景。

OSM4N90SJ
  • 产品特性
  • 应用领域
  • 解决方案
  • 功能框图
产品特性
  • 快速开关能力
  • 规定的雪崩能量
  • 改进的 dv/dt 能力
  • 高可靠性
应用领域
解决方案
功能框图