OSM1N1P65 由一个高电压 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 组成，封装在 8 背侧引脚的 SOIC 封装中。这是一种增强型（常开）晶体管，采用了先进的规划型 DMOS 结构。这种组合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，同时具有 MOS 器件特有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的共同特点是，该器件不受热失控和热致二次击穿的影响。
OSM1N1P65 非常适合各种需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的开关和放大应用。
