OSM7N65B是一款高抗浪涌功率器件，在栅源电压10V时可实现最大1.702导通阻抗，7A持续电流的65OVN沟道MOS器件。
OSM7N65具有低栅极电荷，低栅极电压，和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM控制等应用场景。
OSM7N65B采用TO-263封装。
