产品选型表
产品名称 |
特性 |
封装形式 |
工作温度范围(℃) |
高压启动电压(V) |
最大工作电压(V) |
典型工作电压(V) |
最低工作电压(V) |
典型频率(KHz) |
最大频率(KHz) |
占空比(%) |
启动电流(mA) |
工作电流(mA) |
BV电压(V) |
RDS(on)(MAX)(Ω) |
SS8201E |
内置800V,1A功率MOS,浪涌抑制 |
EASOP-7 |
-40~125 |
1000 |
10 |
8.5 |
6.5 |
40 |
55 |
44 |
0.23 |
0.16 |
800 |
11.5 |
SS8202E |
内置900V,0.5A功率MOS,浪涌抑制 |
EASOP-7 |
-40~125 |
1000 |
10 |
8.5 |
6.5 |
40 |
55 |
44 |
0.23 |
0.16 |
900 |
22 |
SS8200E |
内置650V,4A功率MOS,高浪涌抑制 |
EASOP-7 |
-40~125 |
650 |
10 |
8.5 |
6.5 |
40 |
55 |
44 |
0.23 |
0.16 |
650 |
2.5 |
SS820D |
可外置MOS 1000V 高压启动 |
SOP8 |
-40~125 |
1000 |
10 |
8.5 |
6.5 |
40 |
55 |
44 |
0.23 |
0.16 |
/ |
/ |
SS520D |
临界导通工作模式(BCM) |
SOT23-5 |
-40~125 |
/ |
30 |
15.5 |
7.6 |
/ |
110 |
90 |
0.13 |
0.24 |
/ |
/ |
SS8200C |
内置650V, 0.7A功率MOS, 浪涌抑制 |
SOP8 |
-40~125 |
650 |
10 |
8.5 |
6.5 |
40 |
55 |
44 |
0.23 |
0.16 |
650 |
17 |
SS8200B |
内置650V, 0.6A功率MOS, 浪涌抑制 |
SOP8 |
-40~125 |
650 |
10 |
8.5 |
6.5 |
40 |
55 |
44 |
0.23 |
0.16 |
650 |
28 |
SS8201B |
内置800V, 1A功率MOS, 浪涌抑制 |
SOP8 |
-40~125 |
1000 |
10 |
8.5 |
6.5 |
40 |
55 |
44 |
0.23 |
0.16 |
800 |
11.5 |
SS8202B |
内置900V, 0.5A功率MOS, 浪涌抑制 |
SOP8 |
-40~125 |
1000 |
10 |
8.5 |
6.5 |
40 |
55 |
44 |
0.23 |
0.16 |
900 |
22 |